往期文章
“十二五”期间中国半导体产业发展规划研究
3 mm 波段低噪声放大器
光控晶闸管的集成 BOD 转折电压
fT为 102 GHz 的蓝宝石衬底 AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管
大功率 900 nm 超大光腔三叠层隧道级联激光器
微波退火对高 k / 金属栅中缺陷的修复
Maxim Integrated 参考设计通过实时测量监测并获取智能配电数据
激光退火工艺在绝缘栅双极型晶体管的应用
通孔内镀金工艺研究
大尺寸硅片超薄技术
PERC 太阳电池背面 SiNx折射率的优化
功率型 LED 热特性测试及评价
2014 年主要栏目设置
GaAs PHEMT 材料电子迁移率的非接触测试
Cadence 宣布推出基于台积电 16 nm FinFET 制程 DDR4 PHY IP
可放置于晶圆划片槽的 STI 应力波动检测电路
基于 LabVIEW 的微波功率监测系统设计
英诺推出耐等离子辐照的聚酰亚胺高功能塑料
产业新闻 2 则
第十二届固态和集成电路技术国际会议第一次征文通知
第八届中国半导体行业协会半导体分立器件分会年会第二轮会议通知
第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会会议通知( 第二轮)
